来源:《半导体技术》2019年第11期  作者:李静杰;付宏远;周毅坚;项国姣;张子旭;赵洋;李新忠;王辉;
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氧氩比对磁控溅射CuO薄膜特性的影响

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采用射频磁控溅射法利用铜靶在硅片和蓝宝石衬底上制备CuO薄膜,研究氧氩比对CuO薄膜的晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果显示,较低的氧氩比下,薄膜样品由Cu_2O和CuO组成;在氧氩比达到5∶35时,薄膜成份仅为CuO;且随着氧氩比的增加,CuO薄膜由(002)取向逐渐转向(111)取向。扫描电子显微镜图像显示CuO薄膜均匀,随氧氩比增加晶粒尺寸逐渐变小。光学测试结果显示,CuO薄膜在近红外区域具有良好的透射性,利用吸收值经过线性外推法测得禁带宽度为1.6~1.8 eV。电学测试结果显示,制备的薄膜样品均为p型导电;且随氧氩比的增加,CuO薄膜样品迁移率由0.027 cm~2/(V·s)增加至0.201 cm~2/(V·s),载流子浓度由近10~(21) cm~(-3)减小至10~(19) cm~(-3),电阻率减小1 kΩ·cm。(本文共计5页)......[继续阅读本文]

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