来源:《微纳电子技术》2019年第08期  作者:郭宗亮;魏爱香;肖志明;招瑜;刘俊;
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化学气相沉积可控制备超薄二维MoS_2纳米片

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采用化学气相沉积(CVD)技术,以硫粉和MoO_3为反应剂、氩气为载气,在SiO_2/Si衬底上制备超薄二维MoS_2纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、喇曼光谱和光致发光光谱测试分析技术,研究硫粉送入距离对超薄MoS_2纳米片的形貌、结构和光学性质的影响规律。结果表明:硫粉送入距离为17~25 cm时,距离MoO_31 cm的SiO_2/Si衬底上形成平行于衬底生长的二维MoS_2纳米片;硫粉送入距离为25~29 cm时,MoO_3正上方的SiO_2/Si衬底上形成竖直排列的二维MoS_2纳米片。通过调控硫粉送入距离和衬底的位置可以控制MoS_2的形成过程,实现水平排列和垂直排列二维MoS_2纳米片的可控生长。(本文共计8页)......[继续阅读本文]

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