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来源:《材料导报》2007年第04期  作者:张迪;程伟明;林更其;杨晓非;
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磁控溅射制备Cu底层的实验研究

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使用射频磁控溅射方法在载玻片上制备Cu薄膜,并通过调整其溅射参数来改变Cu薄膜的内部结构。实验结果表明:当基的片加热温度为100~150℃、薄膜厚度为405nm、溅射功率为150~300W时,所制得的沿(111)面择优生长的Cu薄膜的I(111)/I(200)均大于15,可作为SmCo5垂直磁化薄膜的衬底层。(本文共计3页)......[继续阅读本文]

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