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来源:《材料导报》2018年第13期  作者:李广洋;杨杰;邱锋;王荣飞;王茺;杨宇;
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稀磁掺杂Mn_xGe_(1-x)量子点的制备及应用

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作为一种新兴的稀磁掺杂半导体材料,Mn_xGe_(1-x)量子点的自旋电子学性能在最近几年内取得了较为重大的突破。本文针对现有Mn_xGe_(1-x)量子点的稀磁掺杂制备方法及与制备方法相关联的磁电子学性能展开论述,并详细介绍了Mn_xGe_(1-x)量子点在生长过程中Mn原子与生长表面之间的相互作用、形貌转变以及迄今为止对基于这种纳米材料进行的自旋电子学应用的尝试。最后,展望了Mn_xGe_(1-x)量子点未来研究的重点和亟待解决的问题。(本文共计8页)......[继续阅读本文]

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