来源:《电子科技文摘》2000年第12期  作者:
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可靠性工程与环境工程

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Y2000-62135-270 0019773亚微米互连工艺中电子迁移早期失效分布=Electro-migration on early failure distribution in submicron intercon-nects[会,英]/Gall,M.& Ho,P.S.//1999 IEEEProceedings of International Interconnect TechnologyConference.—270~272(EC)0019774GaAsMESFET 栅极漏电流退化机理分析[刊]/费庆字//电子产品可靠性与环境试验.—2000,(4).—8~11(A)高温存储试验后某种 GaAs MESFET 的栅-漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理,测定了试验前后栅-漏极低压正向电流随温度的变化,定性估计(本文共计1页)......[继续阅读本文]

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