来源:《电子科技文摘》2000年第12期  作者:
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金属与导电材料

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0019789NiCr 溅射薄膜内应力的研究[刊]/于映//真空电子技术.-2000,(5).-9~12(C)本文采用磁控溅射法在0.5mm 厚的40Cr 钢基片上沉积1~12μm 的 NiCr 合金薄膜,运用钠光平面干涉法测量 NiCr 溅射薄膜的内应力,研究表明影响NiCr 薄膜内应力的主要因素是工作气压和基片温度,并运用 Klokolm 理论对该影响作用进行了分析。参5(本文共计1页)......[继续阅读本文]

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