来源:《电子科技文摘》2001年第03期  作者:
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失效物理

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Y2000-62422-84 0103519部分耗尽绝缘体上硅 MOS 场效应晶体管动态旁路漏电流形成机制=Mechanisms of dynamic pass Leakagecurrent in partially depleted SOI MOSFETs[会,英]/Saraya,T.& Hiramoto,T.//1999 IEEE InternationalSOI Conference Proceedings.—84~85(EC)(本文共计1页)......[继续阅读本文]

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