来源:《电子科技文摘》2001年第03期  作者:
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化合物半导体

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0103564GaAs 多量子阱的光电流谱[刊]/程兴奎//功能材料与器件学报.—2000,6(3).—228~231(K)在 T=77K,测量了 GaAs 多量子阱的光电流,发现在 v=1312cm~(-1)附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关。参5弱耦合超晶格中的高频自维持振荡(见0103837)GaAs 的 ICP 选择刻蚀研究(见0103741)MESFET 的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响(见0103694)(本文共计1页)......[继续阅读本文]

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