来源:《电子科技文摘》2001年第03期  作者:
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Y2000-62562-64 0103565硅化物(含3篇文章)=Silicide[会,英]//Proceedings ofthe IEEE 2001 International Interconnect TechnologyConference.—62~72(ZC)本部分的3篇文章介绍了掺杂硅衬底上 PECVD-Ti 硅化物薄膜的不规则生长,0.15μm CMOS 器件采用快速热退火的钨多晶硅栅的反应势垒形成,以及亚0.2μm 金属位线接触的 PECVD-Ti 工艺中 TiCl_4预处理的作用。(本文共计2页)......[继续阅读本文]

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