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来源:《电子学报》1983年第02期  作者:许振嘉,孙伯康,王万年,张泽华,刘江夏,何广平
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热处理硅中的新施主(Ⅱ)

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本文继续研究了LSI常用的p型CZ硅单晶经700℃热处理后产生的新施主。在n型样品中,同样观察到新施主,其性质与p型的相同,但生成率和浓度较p型的低。新施主与热施主有密切关系,在300~800℃间预热处理都可以促进新施主的产生,其中450℃预热处理的促进作用最大。大于800℃预热处理则减少新施主的产生。新施主比热施主稳定,经1050℃、30小时的热处理,浓度约为1.33×10~(15)cm~(-3)的新施主只消除了68%。本文还较详细地讨论了新施主的本质和产生机理。(本文共计5页)......[继续阅读本文]

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