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来源:《发光学报》2020年第02期  作者:何旭;武莉莉;李春秀;郝霞;都政;
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CdSe_xS_(1-x)电子学结构及光学性质的第一性原理研究

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CdSe是Ⅱ-Ⅵ族中重要的半导体材料,一定条件下可与CdS形成无限固溶体CdSe_xS_(1-x)(0≤x≤1)。CdSe_xS_(1-x)在薄膜太阳电池及光电器件等领域具有重要的应用,对CdSe_xS_(1-x)的电子学结构和光学性质进行研究有助于进一步提高其在光电器件等方面的应用。基于第一性原理,采用平面波超软赝势方法,计算了CdSe_xS_(1-x)的电子学结构及光学性质,并将计算结果与实验进行了对比。结果表明,CdSe_xS_(1-x)的晶格常数随着Se组分的增加呈线性增大趋势,态密度向低能级方向移动,禁带宽度减小,光吸收边发生一定程度的蓝移。当Se含量为0.5时,CdSe_xS_(1-x)的光折射、反射和能量损失最大。除了Se和S的比例为1∶1时CdSe_xS_(1-x)所属晶系为三斜晶系,其他比例下均为立方晶系。理论计算结果与实验符合。(本文共计6页)......[继续阅读本文]

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