您的位置:杂志 > 《硅谷》 > 2011年 > 第12期
来源:《硅谷》2011年第12期  作者:刘宗贺;方雪冰;王泗禹;李杰;刘玮;
选择字号

Pbody浓度对VDMOS器件EAS特性的影响

收藏本文  分享

从VDMOS器件EAS测试的原理出发,通过统计实际生产中出现的EAS不良现象,得出EAS测试不良的两种主要现象,一种为EAS测试后器件烧毁,显示PRE-SHORT损坏提示,第二种为EAS测试不通过显示POST-SHORT损坏提示,但器件没有烧毁。分别从器件源胞结构,以及EAS测试的时序上对两种不良现象的产生原因进行分析,得出源胞结构中的寄生电阻RB大,器件的Tf大是造成两种EAS不良的原因,提出通过提高Pbody浓度来降低源胞结构中的寄生电阻RB,并结合TCAD仿真,提出提高Pbody浓度来降低器件的Tf。最后通过对比实验验证不同Pbody浓度对器件EAS特性的影响,得到增加Pbody浓度可以有效提高器件EAS通过率与极限耐量。(本文共计3页)......[继续阅读本文]

下载阅读本文订阅本刊

图书推荐

    相关文章推荐

    看看这些杂志对你有没有帮助...

    更多杂志>>