来源:《光机电信息》2002年第03期  作者:
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日本半导体蚀刻技术取得突破性进展

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日本荏原综合研究所和东北大学合作,最近开发成功线宽为0.05μm的半导体蚀刻技术,预计3年后能够达到实用化水平。蚀刻是制造集成电路最重要的工序,一般采取用正离子照射半导体基板的方法,其缺点是由于负离子的吸引,正离子会出现轨道弯曲的现象,影响加工的精度,并且由于基板上积蓄了静电而需要进行热处理。因此,目前仅制造线宽为0.13μm的超大规模集成电路。新的方法克服了上述缺点,使用了带负电的掩模,使等离子态的中性粒子束透过掩模上直径为0.05μm的小孔,几乎垂直地照射在基板上,在上面形成薄膜的电路。据认为,这一技术能够大批量制造16G(1G=109)动态随机存取存储器(RAM),将在2005年前后达到实用化水平。16G的存储器,信息存储量相当于三部2个小时长的电影,比目前大批量生产的512M存储器提高了30多倍。(No.28)日本半导体蚀刻技术取得突破性进展(本文共计1页)......[继续阅读本文]

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