来源:《电子设计工程》2011年第16期  作者:孙守梅;
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氮化钛阻挡层化学机械抛光液的研究

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为了解决Cu互连线污染和形成高阻铜硅化物以及Cu与SiO2粘附性差等问题,提出增加扩散阻挡层的解决方案。主要关于氮化钛阻挡层化学机械抛光的研究。分析了氮化钛的抛光机理,研究了氧化剂浓度及抛光液的pH对抛光速率的影响,最后配制了适合氮化钛阻挡层的碱性抛光液。(本文共计3页)......[继续阅读本文]

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