来源:《高压物理学报》1997年第01期  作者:刘振兴,张殿琳,朴明俊,万梅香,卢凤才
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低温高压条件下裂解聚吡咙薄膜导电性的初步研究

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通过对裂解聚吡咙(PMDA-DAB)薄膜导电性环境温度、裂解温度及压力关系的研究表明:其室温导电率随所加压力与裂解温度的升高而增加。电导与温度的依赖行为有赖于裂解温度Tp及所加的压力在Tp<800℃时,碳化过程产物能符合三维变程跃迁模型;而在Tp>800℃时,石墨化过程产物则比较符合修正的三维变程跃迁模型。最大的导电率是在裂解温度为1200℃的裂解产物上在1.05GPa压力下获得的,数值约1000s/cm,电导与压力的关系能较好地符合所改进的扩展莫特关系(本文共计7页)......[继续阅读本文]

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