来源:《上海理工大学学报》2009年第01期  作者:郭小丰;张启仁;刘廷禹;尹继刚;宋敏;
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第一性原理研究BaMoO_4晶体中F和F~+色心的电子结构

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运用相对论密度泛函离散变分法(DV-Xα)计算了BaMoO4晶体中F和F+色心的电子结构.结果表明:F和F+心在禁带中引入了新的施主能级,采用过渡态的方法计算得到了F和F+心到导带底部的跃迁能量分别为1.86 eV和2.11 eV,对应668 nm和590 nm的吸收.由此说明BaMoO4晶体中668 nm和590 nm吸收带起源于晶体中的F和F+心.(本文共计4页)......[继续阅读本文]

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