您的位置:杂志 > 《红外研究》 > 1989年 > 第05期
来源:《红外研究》1989年第05期  作者:褚君浩,R.Sizmann,R.Wollrab,F.Koch,J.Ziegler,H.Maier
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HgCdTe共振缺陷态的电容谱研究

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提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10~(16)~4×10~(17)cm~(-3)的P型HgCdTe MIS样品的C-V曲线.对浓度约10~(17)cm~(-3)的强P型Hg_0.79Cd_0.21Te体材料样品,在C-V曲线上耗尽区和反型层交界的偏压区域观察到一个附加峰,该峰起源于导带底以上45meV的一个共振缺陷态,分析表明是氧占据Hg空位的杂质缺陷态.(本文共计8页)......[继续阅读本文]

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