来源:《红外与激光工程》2019年第11期  作者:朱旭波;彭震宇;曹先存;何英杰;姚官生;陶飞;张利学;丁嘉欣;李墨;张亮;王雯;吕衍秋;
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InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色红外焦平面探测器

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InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器。首先以双色叠层背靠背二极管电压选择结构作为基本结构,设计了中/短波双色芯片结构,然后采用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料。采用硫化与SiO_2复合钝化方法,最终制备的器件在77 K下中波二极管的RA值达到13.6 kΩ·cm~2,短波达到538 kΩ·cm~2。光谱响应特性表明短波响应波段为1.7~3μm,中波为3~5μm。双色峰值探测率达到中波3.7×10~(11)cm·Hz~(1/2)W~(-1)以上,短波2.2×10~(11)cm·Hz~(1/2)W~(-1)以上。响应非均匀性中波为9.9%,短波为9.7%。中波有效像元率为98.46%,短波为98.06%。(本文共计6页)......[继续阅读本文]

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