来源:《中国集成电路》2009年第01期  作者:尹彬锋;周柯;
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NBTI的研究进展和改善途径

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本文首先介绍了发生于PMOSFET器件上的NBTI(负偏压温度不稳定性)的基本理论,介绍了NBTI的两种衰退机理(反应-扩散模型和电荷俘获-脱离模型),指出它们各自的适用范围,并针对新的NBTI测试方法的采用,探讨了对可靠性性能估计的影响。最后总结了遏制NBTI效应的研究成果。(本文共计5页)......[继续阅读本文]

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