来源:《激光与光电子学进展》1981年第03期  作者:单振国;
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可触发的半导体激光器

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当可触发的半导体激光器偏置在阈值以上零点几毫安时,可以辐射周期为几个毫微秒的很短(0.1毫微秒)的强(0.1瓦)脉冲.单个的均匀的光脉冲可由宽度直到几个毫微秒、幅度仅为零点几毫安的电流脉冲触发.这一行为是在对具有高电子陷阱密度(其他因素也是可能的)的器件进行计算机模拟时首次看到的.呈现这一行为的器件已在一组深质子轰击的AlGaAs条型激光器中发现.附加一个增益小于1的光电二极管,已构成简单的光波脉冲再生器.这一回路所辐射的光脉冲,具有6微微焦耳能量,小于0.2毫微秒的脉宽和比输入脉冲幅度高15倍的振幅.(本文共计2页)......[继续阅读本文]

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