来源:《激光与光电子学进展》1999年第S1期  作者:温树槐,杨建伦,杨洪琼
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超快GaAs:Cr:n光电导器件及应用

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将加工成一定形状的高电阻率GaAs:Cr:n光电导块放入中子场中辐照,以便减少电荷载流子寿命,再将经过辐照并冷却的GaAs:Cr:n样品置入同轴结构的微带线上。这一技术使GaAs:Cr:n成为皮秒时间响应的光电器件并被用作超高速探测器和光电开关。(本文共计3页)......[继续阅读本文]

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