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用解理氮化镓制作蓝光激光二极管

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柏林工业大学的研究者报导由分子束外延生长的解理 C- Ga N样品观测到光激励受激辐射。从解理C- Ga N层激发的阈值强度低于用金属有机化学蒸气淀积生长的 C- Ga N。这种材料可望用作解理腔蓝光激光二极管。由于 C- Ga N层与 Ga As共用解理面 ,设想用此解理面做激光腔。用解理氮化镓制作蓝光激光二极管(本文共计1页)......[继续阅读本文]

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