来源:《吉林化工学院学报》2011年第07期  作者:刘岩;娄大伟;金丽;祝波;任红;王悦虹;
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CdS:Co掺杂量子点的合成与表征

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通过微波辐射技术,过度金属钴离子可以成功地掺杂到CdS量子点内部.由于钴离子占据了量子点的中心位置,随着辐射时间的增加,钴离子逐渐向外渗透扩散,伴随此过程,掺杂后的量子点的紫外吸收峰和荧光发射峰都相应地发生了红移.通过X射线衍射和高分辨投射电镜表征发现,掺杂后的晶体依然为立体闪锌矿结构,并且具有量子点的晶体特征;经过紫外吸收和荧光光谱表征发现,与CdS量子点相比,除了荧光光谱的发射峰范围扩宽了50 nm,荧光稳定性和化学稳定性得到了很大的提高.(本文共计3页)......[继续阅读本文]

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