来源:《科技经济导刊》2019年第28期  作者:王颖;
选择字号

硅基InP微盘激光器的散热技术研究

收藏本文  分享

在InP激光器的各种关键技术研究中,增益区域的散热问题是重中之重。芯片温度的升高会严重影响激光器件的工作性能,限制其正常使用。要想使InP激光器在较高的功率下进行工作,对其进行散热研究显得尤为重要。从硅基InP微盘激光器结构分析入手,采用数值模拟的方法对其进行热学分析,找到了InP激光器的主要发热因素。此外提出一种内置热沉的解决方案,并有效改善了硅基InP微盘激光器增益区域的温度分布。(本文共计2页)......[继续阅读本文]

下载阅读本文订阅本刊

图书推荐

    相关文章推荐

    看看这些杂志对你有没有帮助...

    更多杂志>>