来源:《吉林大学学报(工学版)》2011年第03期  作者:唐威;吴龙胜;刘存生;刘佑宝;
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深亚微米部分耗尽型SOI MOSFET的建模及特征提取方法

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基于BSIMSOI模型研究了深亚微米级部分耗尽型绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(PD SOI MOSFET)器件的自加热效应、体接触效应及浮体效应,并提出了PD SOI MOSFET的建模方法及相应的模型参数提取方法。根据上述方法对西安微电子技术研究所0.35μm工艺条件下的PD SOI器件进行了建模和验证,结果显示所建立的模型与测试数据吻合,表明本文所提方法的准确性及有效性。(本文共计5页)......[继续阅读本文]

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