来源:《平原大学学报》1999年第04期  作者:朱利娜,付金山,尚游
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MOS-FET共源极放大器频率特性的分析

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本文就MOS-FET的高频等效模型对MOS-FET共源极放大器的频率计算特性进行了系统分析,并与双极型晶体管放大器相比较,得出了几点重要结论:MOS管有很高的输入电阻.因此在相同的输人电容影响下,很高的输入电阻将影响其高频响应变差;MOS管用作放大时不能象双极管那样大的电压放大倍数;MOS冒产生的电噪声比双极型管要小,故适应于低噪声放大器的输入极。(本文共计2页)......[继续阅读本文]

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