来源:《曲靖师范学院学报》2019年第06期  作者:刘东豪;闫宇星;沈静秋;罗祖君;
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ZnNb_2O_6材料光电学特性研究

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采用第一性原理平面波超软赝势方法计算了ZnNb_2O_6的电子结构和光学性质,并从理论上分析了它们之间的关系.能带结构计算表明ZnNb_2O_6属于间接带隙半导体,禁带宽度为3. 51eV;总态密度主要源于Zn3d、Nb4d以及O2p层电子的态密度;进一步对ZnNb_2O_6材料的光学性质计算,表明带间跃迁占主导地位,吸收系数最大峰值为3. 02×10~5cm~(-1).理论计算得到的结果与实验结果一致,可以为ZnNb_2O_6材料的应用提供理论支持.(本文共计6页)......[继续阅读本文]

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