来源:《世界电子元器件》2002年第03期  作者:岳云
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ESD技术沿着IC内核的小型化方向压缩I/O尺寸

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自0.5μm CMOS工艺问世以来,I/O的尺寸基本上没有发生什么变化。目前,通过采用紧凑型的静电放电(ESD)设计技术,I/O可以与IC内核一道被压缩。 输入-输出晶体管是实现IC内核内部的小信号(以μA计)与电子子系统(本文共计2页)......[继续阅读本文]

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