来源:《太阳能学报》2010年第06期  作者:李春雷;庄大明;张弓;栾和新;宋军;
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CIGSe吸收层与Mo背电极接触界面层研究

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预制膜+硒化两步法可以实现大面积、均匀制备CIGSe太阳电池吸收层。在背电极Mo和吸收层CIGSe接触界面上往往会形成由比较疏松包含一些孔洞的细小颗粒组成的界面层。该文通过对不同结构的预制膜进行硒化,分析了这一界面层的产生原因,认为Ga元素在背电极处的富集导致形成了细小的晶粒;在硒化过程开始阶段由于界面处Se含量较少形成了具有挥发性的In_2Se,进而导致了界面层中孔洞的形成。(本文共计4页)......[继续阅读本文]

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