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来源:《物理学报》1984年第01期  作者:陈光华,刘惠春
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非晶半导体中杂质和缺陷态的电子统计理论

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本文应用统计物理的方法,讨论了非晶半导体的掺杂效应,特别是在低温下的特性。在荷电的悬挂键模型下,计算了各种情况下的费密能级和电子浓度。并对两类不同的非晶半导体作了详细的讨论。(本文共计6页)......[继续阅读本文]

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