来源:《微电子学与计算机》1978年第06期  作者:丁成玉 ,段素芳
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以Si_Cl_4—N_2—H_2体系在500℃ 800℃制备Si_3N_4薄膜探讨

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采用等离子体辉光放电的方法,使用SiCl_4和N_2代替通常方法中的SiH_4和NH_3,在500~800℃淀积出Si_3N_4薄膜。折射率为2.0,在浓HF 中腐蚀速率为150(?)/分,红外吸收光谱分析指明,该薄膜在11.(?)μ处有一特征吸收峰。本方法所用材料成本低、安企、低毒、易提纯,反应中因为有氯存在,发现有强烈的杂质萃取作用,有利于减少漏电。(本文共计6页)......[继续阅读本文]

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