来源:《微电子学与计算机》1978年第06期  作者:张礼德
选择字号

H-MOS—缩小传统器件的尺寸以达到高性能水平

收藏本文  分享

MOS 器件的集成度和性能每年都有成倍的增长,这几乎成为一个规律了。在过去的十年中,MOS 芯片从低集成度的、速度为几毫秒的移位寄存器、门电路和触发器,发展到整个存储器、微处理机和专用系统及分系统,它们是将几万个电子功能块压缩在一个组件中,其速度能达到几毫微秒。MOS 工艺的多样化加速了这一惊人的发展。MOS 从高阈值的p 沟多电源电路技术开(本文共计9页)......[继续阅读本文]

下载阅读本文订阅本刊

图书推荐

    相关文章推荐

    看看这些杂志对你有没有帮助...

    更多杂志>>