来源:《液晶与显示》2005年第04期  作者:危书义,黄文登
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GaN/AlN量子阱中的准受限声子

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采用基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究了任意层纤锌矿量子阱中的准受限声子,得出了任意层纤锌矿量子阱中的准受限声子的本征模解、色散关系;对GaN/AlN单量子阱和耦合量子阱中的准受限声子的色散关系进行了数值计算和讨论。实验发现在阱内的受限行为导致了波矢qz,j的量子化,并且准受限声子的色散随量子阶数m的减小而增强,由色散曲线组成的带随m的增加而变窄。(本文共计5页)......[继续阅读本文]

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