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二硒化铼(ReSe_2):各向异性的新型二维光电材料

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随着二维材料研究的高速发展,越来越多的新型二维材料开始走进研究者的视野。从最早被发现的石墨烯,到目前研究正酣的二维过渡金属硫属化合物(Transition MetalDichalcogenides,TMDs),每一种新材料的出现都将伴随着一阵新的研究热潮。TMDs的发现极大地弥补了石墨烯零能隙的缺点,使得二维材料在逻辑器件和光电器件等应用上的潜力得以释放。由于二维材料本身厚度只有纳米尺度,因此大面积的二维材料具有天然的柔韧性,在未来柔性电子/光子器件的应用方面具有极大的前景。尽管如此,高质量二维材料的制备是一个困扰研究者已久的难题。日前,华中科技大学材料学院的翟天佑课题组首次通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法成功制备了一种新型的高质量二维TMDs材料——二硒化铼(Re Se2)。不同于绝大多数已被广泛研究的其他TMDs二维材料如二硫化钼(MoS 2),二硒化钨(WSe2)等,Re Se2除具备常规的光电性能外,还具有各向异性的特性。简单地说,如果沿着六角形Re Se2的不同方向进行测量,那么我们就可以得到有显著差异的性能数据。这种新颖的性(本文共计2页)......[继续阅读本文]

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