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日美公司合作研究碳纳米管内存

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目前随着用户对电子产品的配置要求越来越高,存储技术也进行着快速的发展。而作为曝光率最高的纳米技术之一,什么东西只要跟碳纳米管沾边马上就显得高大上了。据外媒报道,日本富士通公司日前宣布与美国Mantero公司达成合作协议,双方将共同推进碳纳米管内存(NRAM)研发、制造,这种内存的速度号称是普通闪存的1000倍,预计2018年底正式推出产品,制程工艺是55nm的。据介绍,在纳米技术研究领域,碳纳米管(也叫富勒烯,简称CNT)是一种很独特的材料,直径只有人类头发的5万分之一,能导热导电,硬度是钢铁的50倍,从这项技术研发出来之后,就经常出现以碳纳米管为基础的各种高科技,包括各种神器的电池。在存储领域,碳纳米管通过硅基沉底也能实现0、1变化,因此也可以存储芯片,而且是非易失性的,断电也不会清除数据。然而,相比普通闪存,NRAM存储芯片的优势太多了,读写速度是普通闪存的1000倍(Nanteo官网上说是1000倍,图表上是100倍),同时功耗更低,可靠性、耐用性更强,成本更低。据报道称,Nantero这次与富士通合作,后者将把NRAM内存整合到自家芯片中,预计2018年底推出,制程工艺为55n(本文共计2页)......[继续阅读本文]

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