来源:《科技创新导报》2013年第01期  作者:杨汇鑫;宋业生;陈士英;
选择字号

GaN次接触层对SiC光导开关欧姆接触的改进研究

收藏本文  分享

大功率SiC光导开关存在接触电阻过高、接触退化的问题。为此,在接触金属与SiC基片之间增加一层n+-GaN次接触层,光导开关的导通电阻随之下降两个数量级,而光电流效率增加两个数量级。(本文共计2页)......[继续阅读本文]

下载阅读本文订阅本刊

图书推荐

    相关文章推荐

    看看这些杂志对你有没有帮助...

    更多杂志>>