来源:《长沙铁道学院学报》2000年第02期  作者:何红波,周继承,胡慧芳,李义兵
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单电子器件I-V特性的半经曲拟合

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本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上 ,通过对主主程的数值求解 ,对 Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合 .单电子器件的半经典拟合对于单电子器件的设计有很大的指导作用(本文共计4页)......[继续阅读本文]

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