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来源:《电子科技》2018年第04期  作者:杨晓珊;郭祥;罗子江;王一;杨晨;许筱晓;张之桓;丁召;
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粗糙GaAs(001)表面对In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜生长的影响

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通过改变衬底降温速率的方法利用分子束外延(MBE)和扫描隧道显微镜(STM)联合系统制备了不同形貌的Ga As(001)表面。采用SPIP软件测量统计和Bauer定则理论分析,研究了粗糙Ga As(001)表面对In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜生长的影响。结果表明粗糙Ga As(001)表面存在大量的岛和坑,表面能增加,易于In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜层状生长形成平整表面。经计算,面积为100×100 nm~2的粗糙Ga As(001)表面相对平坦Ga As(001)表面,其表面能增加了4.6×10~3e V,大于生长厚度为15 ML的In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜应变能(2.3×10~3e V),说明In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜在粗糙Ga As(001)表面的外延生长模式为层状生长。(本文共计4页)......[继续阅读本文]

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