来源:《中国工程科学》2000年第04期  作者:
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我国SiC异质外延材料的质量取得突破性进展

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[本刊讯 ] 宽能带隙SiC属于第三代半导体材料。SiC器件具有比硅器件或GaAs器件更为突出的优点 ,诸如更高工作频率 ,更大的功率 ,更高的工作温度 ,更耐辐照。SiC外延材料可以在硅衬底上生长 ,其优点是硅衬底的价格低廉 ,衬底尺寸大 (SiC单晶一般仅为5 0mm ,Si单晶可达2 0 0~ 30 0mm)等优点。在硅衬底上生长的SiC为立方结构 ,通常用3C -SiC/Si来代表。 3C -SiC/Si是制造在高温和恶劣环境下能正常工作的传感器。例如温度传感器、气敏器件、压敏器件、加速度传感器等 ,石油钻探要求能耐 30 0℃的传感器 ,汽车发动机要求耐更高温的传感器。这些要求是硅传感器不能胜任而必需采用SiC传感器。此外 ,3C -SiC/Si还可以作另一种宽能隙半导体———GaN的外延衬底。所以 3C -SiC/Si材料的生长一直吸引各国的注意。但是SiC和Si的晶格失配很大 ,如果生长条件掌握不好 ,则生长的SiC异质外延材料的缺陷密度大 ,材料性能差 ,所以如何生长出完整性好的SiC异质外延材料就成为人们追寻的目标。完整性由X -射线双晶衍射的半高宽 (FWHM (本文共计1页)......[继续阅读本文]

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