来源:《中国工程科学》2001年第04期  作者:
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我国有机超高密度信息存储材料研制取得突破性进展

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信息技术的飞速发展对信息存储密度和容量提出了更高的要求 ,而信息存储仍是信息技术中相对薄弱的环节 ,因此新型信息存储材料的研究是超高密度信息存储的关键之一。缩小信息记录点尺寸是提高存储密度的有效途径之一。 90年代以来 ,美国、日本科学家相继报道了在无机材料上写入记录点尺寸逐渐减小到 4 0~ 10nm的信息点阵 ,相邻点间隔减小到 50nm左右等研究成果。但信息点尺寸进一步减小和存储密度进一步提高已受到材料设计思想、存储机制和实验方法的限制。对有机分子信息材料的研究是当今国际上有望突破限制的热点之一 ,被认为是下一代电子器件的重要发展方向。在国家自然科学基金的连续资助下 ,中科院北京真空物理开放实验室、中科院化学所、北京大学电子学系、北京大学化学学院科研人员组成的联合科研小组 ,采用与国外不同的原理、设计和方法 ,设计、制备了一系列新型有机复合和有机分子信息存储薄膜 ,成功地实现了超高密度的信息存储 ,在有机超高密度信息存储材料领域的研究取得了一系列突破性进展。1996年他们采用自行设计、合成和制备的全有机复合薄膜作为电学信息存储材料 ,并利用扫描隧道显微镜 (STM )成功地得到了(本文共计1页)......[继续阅读本文]

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