来源:《光机电信息》2002年第03期  作者:
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微型半导体显示器

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美国堪萨斯州立大学的研究小组应用目前处于开发中的微盘LED阵列技术研制成具有In-GaN/GaN量子阱结构的蓝色半导体微型显示器,其尺寸为0.5×0.5mm2,直径12μm的微盘LED的像元以10×10阵列状构成。据研究人员介绍,将微小LED阵列密集地集成在半导体芯片上的这种微型半导体显示器为世界首创。不过,该显示器却难以实现全彩色化。该显示器是在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)技术的基础上研制成功的。但LCD和OLED不适于室外要求高功率输出的场合使用,而Ⅲ-Ⅴ族蓝色微型显示器的自身发光特性恰好适于室外使用。KSU开发的器件输出波长为450nm,若改变活性层所含的In量,输出波长可在400nm~540nm之间变化。此外,该研究小组还对微盘LED的注入电流与光强度之间的关系进行了研究。当注入电流为6mA时,获得最大输出为19mW,反应速度在0.2ns左右。(No.18)微型半导体显示器(本文共计2页)......[继续阅读本文]

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