来源:《固体电子学研究与进展》2019年第06期  作者:牛斌;范道雨;代鲲鹏;林罡;王维波;陈堂胜;
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f_T=11THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管

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南京电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率f_T达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1所示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对比,本文报道的阳极直径1μm的InGaAs SBD势垒高度仅为0.15 V。由零偏结电容及总电容推算的器件截止频率达11.0 THz/7.7 THz。(本文共计1页)......[继续阅读本文]

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