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来源:《光子学报》2006年第12期  作者:刘晓燕;吕惠民;
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Ⅰ类超晶格势阱中能级分布及电子跃迁规律研究

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在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱·解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”·(本文共计4页)......[继续阅读本文]

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