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来源:《红外技术》1980年第02期  作者:李丽 ,魏天衢 ,舒凤蓉
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MCT晶体淬火技术的研究

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一、前言三元化合物Hg_(1-x)CdxTe,实际上是一种(Cd Te) x与(Hg Te)_(1-x)的准二元系合金半导体。其禁带宽度Eg随合金中Cd Te的克分子数X几乎是线性的变化,并且和工作温度T有如下关系:(本文共计4页)......[继续阅读本文]

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