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来源:《红外技术》1980年第02期  作者:B.E.Bartlett ,宋炳文
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生长速率对碲镉汞晶体组分变化的影响

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在一个宽的生长速率范围生长了碲镉汞晶体。用光学透射法和密度测量法研究了所生长之晶体的轴向和径向的组分变化。以较慢的速率生长的晶体,轴向组分分布类似充分混合的熔体正常凝固时的情况。可以用边界层机理来解释这些晶体中径向组分的变化。在快速生长的晶体中,观察到了所希望的均匀的轴向组分分布,而径向的组分变化可以用热流的影响加以解释。(本文共计8页)......[继续阅读本文]

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