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来源:《红外技术》1980年第02期  作者:朱惜辰 ,孟兴文 ,保红珍
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HgCdTe光伏探测器的C—V特性

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引言HgCdTe是一种具有独特性能的材料,制备P—n结又常用Hg扩散方法,它与常规的杂质扩散又有不同,加之材料的组分、结构及其固有的十分小的电子有效质量往往引起n型材料的简并等等问题,使成结工艺增加许多复杂因素。为了提高元件水平改进工艺,有必要对P—n结的特性作深入了解。测定P—n结的C—V(电容—电压)特(本文共计8页)......[继续阅读本文]

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