来源:《中国集成电路》2014年第07期  作者:Christopher J.Berry;邹毅达;林伟;
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各种倒装凸点结构的电迁移可靠性及电流承载能力

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随着倒装凸点中的无铅化,以及I/O密度不断提高,凸点间距和大小不断减小,倒装凸点由于电迁移引起的失效越来越成为一个主要的可靠性问题。本文论述了对铜柱(Cu Pillar),高铅(high Pb),锡铅(SnPb),无铅(SnAg)等倒装凸点的电迁移研究结果。我们设计了一个特别的测试样品用于直接比较各种不同的凸点结构,并在三种不同的电流量和温度下测试,数据用于推导Black公式中的参数。已完成的19000小时的测试数据表明铜柱的可靠性在4种结构中最好,随后依次为SnAg,SnPb,High Pb。本文详述了测试数据,失效分析,以及在某些结构中Black公式中参数的估算。本文也提供了一个在实际使用条件下假定寿命和特定失效率时,预算倒装凸点的电流承载能力的方法。(本文共计8页)......[继续阅读本文]

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