来源:《激光与光电子学进展》2001年第03期  作者:范品忠
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高通量激光辐照后KH_2PO_4的稳态和瞬态缺陷数研究

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1 引言众所周知 ,缺陷大大影响许多介电固体材料的基本特性。点状缺陷的均匀分布在某些情况下伴随缺陷聚集和缺陷团簇形成。电子缺陷可在晶格中以杂质离子形式或如晶格节点离子空穴这样的晶格缺陷的形式存在。在许多情况下 ,缺陷的来源是杂质离子有意掺入以引入基质晶体所没有的新颖电子特性。在另外一些情况下 ,不希望缺陷出现 ,它可能与材料性能变坏有关。在晶体生长和随后受到电磁场或粒子的辐照过程中会发生缺陷。由于在材料处理和性能方面的重要性 ,这些过程已引起科技界的极大关注。磷酸二氢钾 ( KH2 PO4,KDP)是一种非线性光学和电光电介质晶体 ,广泛用于各种激光系统以产生谐波和用作电光开关。KDP快速生长大单晶 ( 40~ 5 0 cm)的能力使它成为大孔径激光系统的一种重要材料。已报道在强紫外激光辐照下 KDP晶体在 35 0~ 70 0nm光谱区的瞬态吸收 ,该吸收已归因于瞬态缺陷中心的形成。本工作用显微荧光成像系统研究了大块KDP晶体缺陷数和团簇。 35 5 nm,3ns高功率激光对晶体辐照使 KDP晶体显著老化 ,激活中心数目减少就是其表现之一。光谱测量揭示缺陷数的光谱特性 ,产生记录的荧(本文共计6页)......[继续阅读本文]

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