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来源:《物理实验》1997年第04期  作者:陈世毅
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InSb薄膜的霍尔效应测量

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霍尔系数和电阻率随温度变化的测量是近代物理的基本实验之一.通过测量可判断半导体材料的类型,并得到材料的一些重要参数,例如载流子浓度和运尔迁移率等等.在一般的教学实验中常用单晶锗或硅作为样品.随着半导体技术的发展,用外延工艺研制的单晶薄膜材料已成为一种重要的半导体材料.我们得到了几块用这种工艺生长的N型Insb(锑化铝)薄膜材料,测量了它们的合尔系数和电阻率,并求出其载流于浓度和霍尔迁移率.可以看出这种材料的霍尔迁移率比硅和锗材料要大得多.实验中发现个别薄膜材料在低温时的电子霍尔迁移率低于常温时的值,出现“反常”的现象.一、实验Insb#膜样品经过仔细的清洗后在其四周焊上四根很小的电极.为了保证测量可靠,要求电极焊在圆形薄膜的周边,并尽量小,而且要求有良好的欧姆接触(如图1所示).厚度是均匀的,分别在5至SPm之间.采用范德堡法测量’‘’,在电阻测量时,在一对相邻的电极通电流,而在另一对电极之间测量电位差,得到电阻R并由此获得电阻率P.式中d为样品厚度,f(x)为与R。B.CD/R。D.4有关的函数.它们之间有下列关系八X)可由作图法求出其值,一般在0~1之间.在霍尔测量时,在一对不相邻(本文共计2页)......[继续阅读本文]

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