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来源:《物理》1985年第01期  作者:杜永昌,张玉峰
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硅中的辐照点缺陷

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点缺陷是指晶体中一个原子尺度的缺陷.半导体中的点缺陷包括晶格空位、间隙原子、化学杂质以及它们的复合物.由于这些缺陷的存在,使半导体晶格周期性的规则排列遭到破坏,因而往往在禁带中引入能级.半导体的许多重要性质与杂质和缺陷紧密相关,因而它们是半导体研究中基本的和重要的课题之一. 近一二十年来,硅中点缺陷的研究有了显著进展.这是因为电子顺磁共振技术、结谱法以及光学测量等得到成功的应用.用电子顺磁共振技术(EPR)可以测定具有顺磁性的点缺陷的原子组态、电子结构及其点群对称性,在此基础上又发展了电子-核磁双共振(ENDOR)等双共振技术[1];结谱法,特别是深能级瞬态谱(DLTS),可以精确测量深中心的浓度、激活能、载流子发射率及俘获截面等重要参数’‘’;光学测量包括红外吸收光谱(IR)”’和光荧光(PL)等技术,它们也是研究半导体中点缺炖的重要手段. 辐照技术在半导体中有许多重要应用,如离子注入、中子檀变掺杂以及电子或丫射线辐照等.高能粒子辐照能在半导体中产生多种类型的点缺陷,对此已进行了广泛和深人的研究. 本文仅就硅中辐照产生的点缺陷分类加以介绍,包括它们的组态模型、激活能、缺陷的迁移、退火(本文共计7页)......[继续阅读本文]

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